VBMB1101M的供应商，VBMB1101M规格参数，VBMB1101M的PDF资料

VBMB1101M /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：86mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道

VBMB1101M的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻86mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）48W

类型N沟道

VBMB1101M的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	VBMB1101M	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBMB1101M	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBMB1101M	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBMB1101M	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	VBMB1101M	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VBMB1101M	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBMB1101M	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBMB1101M	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		1800.28 Kbytes	共8页		无

VBMB1101M的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBMB1101M	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：86mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道	1+:￥2.38 10+:￥1.75 30+:￥1.64 100+:￥1.53 500+:￥1.48 1000+:￥1.45

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