VBMB1615
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W 类型:N沟道
VBMB1615的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)136W
类型N沟道
VBMB1615
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VBMB1615 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 534.07 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
VBMB1615的全球分销商及价格
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 立创商城 | VBMB1615 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W 类型:N沟道 | 1+:¥3.35 10+:¥2.47 30+:¥2.31 100+:¥2.15 500+:¥2.08 1000+:¥2.04
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 立创商城 | VBMB1615A | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥2.1522 200+:¥0.8329 500+:¥0.8037 1000+:¥0.7892
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