VBM2610N的供应商，VBM2610N规格参数，VBM2610N的PDF资料

VBM2610N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：P沟道

VBM2610N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻62mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）60W

类型P沟道

VBM2610N

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深圳市芯幂科技有限公司	VBM2610N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBM2610N	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	VBM2610N	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM2610N	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBM2610N	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBM2610N	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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VBM2610N	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		363.66 Kbytes	共7页		无

VBM2610N的全球分销商及价格

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立创商城	VBM2610N	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：P沟道	1+:￥2.11 10+:￥1.56 30+:￥1.45 100+:￥1.215 500+:￥1.179 1000+:￥1.161

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