VBM2625
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):104.2W 类型:P沟道
VBM2625的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)53A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻26mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)104.2W
类型P沟道
VBM2625
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