VBFB2658
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道
VBFB2658的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻53mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型P沟道
VBFB2658
VBFB2658及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
VBFB2658 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 557.45 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
VBFB2658的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | VBFB2658 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道 | 1+:¥2.35 10+:¥1.74 30+:¥1.62 100+:¥1.51 500+:¥1.46 1000+:¥1.44
|