VBFB2102M
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:215mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W 类型:P沟道
VBFB2102M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻215mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)32.1W
类型P沟道
VBFB2102M
VBFB2102M的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | VBFB2102M | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:215mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W 类型:P沟道 | 1+:¥1.5707 10+:¥1.181 30+:¥1.1094 100+:¥1.0378 500+:¥1.006 1000+:¥0.9903
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