VBF2355
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W 类型:P沟道
VBF2355的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻56mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)20W
类型P沟道
VBF2355
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