VBFB1615
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：N沟道
VBFB1615的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）55A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 55A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）136W
类型N沟道
VBFB1615
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| VBFB1615 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 701.46 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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立创商城 | VBFB1615 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：N沟道 | 1+:￥3.33
10+:￥2.46
30+:￥2.3
100+:￥2.14
500+:￥2.07
1000+:￥2.03
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立创商城 | VBFB1615A | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:￥2.226
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