VBFB2412
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W 类型:P沟道
VBFB2412的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)55A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W
类型P沟道
VBFB2412
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VBFB2412 | P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 559.98 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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