VBFB1102M的供应商，VBFB1102M规格参数，VBFB1102M的PDF资料

VBFB1102M /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道

VBFB1102M的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散（Ta=25°C）60W

类型N沟道

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深圳市芯幂科技有限公司	VBFB1102M	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBFB1102M	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBFB1102M	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBFB1102M	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBFB1102M	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司	VBFB1102M	深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8	13066809747 13066809747	李小姐	询价

VBFB1102M及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBFB1102M	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		662.97 Kbytes	共9页		无

VBFB1102M的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBFB1102M	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：N沟道	1+:￥1.1964 10+:￥0.8858 30+:￥0.8287 100+:￥0.7717 500+:￥0.7463 1000+:￥0.7338

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