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TPS1120DR /MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
TPS1120DR的规格信息
TPS1120DR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:15 V

Id-连续漏极电流:1.17 A

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:2 V, - 15 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:840 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:TPS1120

晶体管类型:2 P-Channel

类型:PMOS Switches

宽度:3.9 mm

商标:Texas Instruments

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:4.5 ns

单位重量:76 mg

供应商TPS1120DR
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深圳市威雅利发展有限公司TPS1120DR华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TPS1120DR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TPS1120DR深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
万三科技(深圳)有限公司TPS1120DR深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
18818598465
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深圳市辉华拓展电子有限公司TPS1120DR深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市斌腾达科技有限公司TPS1120DR深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司TPS1120DR深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市域立航科技有限公司TPS1120DR深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)0755-82576356,83233239
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集好芯城TPS1120DR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司TPS1120DR深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市宇浩扬科技有限公司TPS1120DR深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市百域芯科技有限公司TPS1120DR世纪汇都会轩45070755-82788062
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集好芯城TPS1120DR深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市拓亿芯电子有限公司TPS1120DR深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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芯莱德电子(香港)有限公司TPS1120DR深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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TPS1120DRDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO379.72 Kbytes共15页TPS1120DR的PDF下载地址
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TPS1120DR的全球分销商及价格
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TPS1120DRTexas InstrumentsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET1+:¥15.35
10+:¥13.82
25+:¥12
50+:¥11.27
100+:¥11.13
250+:¥9.89
500+:¥8.3699
750+:¥7.56
1000+:¥6.021+:¥12.26
10+:¥11.02
25+:¥9.61
50+:¥9.0299
100+:¥8.8599
250+:¥7.88
500+:¥7.62
750+:¥7.13
1000+:¥6.232500+:¥6.71+:¥7.12
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TPS1120DRTexas InstrumentsPMOS DISTRIBUTION SWITCH2,500 : $1.05
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TPS1120DRTexas InstrumentsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET1+:¥15.35
10+:¥13.82
25+:¥12
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100+:¥11.13
250+:¥9.89
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750+:¥7.56
1000+:¥6.021+:¥12.26
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Digi-Key 得捷电子
TPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC$2.10000
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TPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC10 : $1.807
1 : $2.01
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Digi-Key 得捷电子
TPS1120DRTexas InstrumentsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET1+:¥15.35
10+:¥13.82
25+:¥12
50+:¥11.27
100+:¥11.13
250+:¥9.89
500+:¥8.3699
750+:¥7.56
1000+:¥6.02
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Mouser 贸泽电子
TPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,500:¥6.7122
5,000:查看
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Mouser 贸泽电子
TPS1120DRTexas InstrumentsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET1+:¥15.35
10+:¥13.82
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Verical
TPS1120DRTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R$0.9188
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Verical
TPS1120DRTexas InstrumentsFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET1+:¥15.35
10+:¥13.82
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1000+:¥6.232500+:¥6.71+:¥7.121+:¥7.36
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立创商城
TPS1120DRTI(德州仪器)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.17A 漏源电压(Vdss):-15V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):840mW 类型:双P沟道1+:¥22.2
10+:¥19.28
30+:¥18.75
100+:¥18.21
500+:¥17.97
1000+:¥17.68