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TPS1101DR /MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
TPS1101DR的规格信息
TPS1101DR的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:15 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:2 V, - 15 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:791 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:TPS1101

晶体管类型:1 P-Channel

类型:PMOS Switches

宽度:3.9 mm

商标:Texas Instruments

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:6.5 ns

单位重量:76 mg

供应商TPS1101DR
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司TPS1101DR深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司TPS1101DR深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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集好芯城TPS1101DR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市百域芯科技有限公司TPS1101DRG4世纪汇都会轩45070755-82788062
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TPS1101DR深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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Arrow(艾睿)		TPS1101DRTexas InstrumentsFET - 单 - 分立半导体产品2500+:￥6.441+:￥13.09
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Digi-Key 得捷电子		TPS1101DRTexas InstrumentsMOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC$1.15731
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		TPS1101DRG4Texas InstrumentsFET - 单 - 分立半导体产品2500+:￥6.442500+:￥6.6701
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Newark element14		TPS1101DRTexas InstrumentsMOSFET, -15V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.3A; Drain Source Voltage Vds:-15V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.25V; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes1 : $1.24
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		TPS1101DRG4Texas InstrumentsFET - 单 - 分立半导体产品2500+:￥6.442500+:￥6.67011+:￥7.631+:￥7.89
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