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TPS1100PWG4 /MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
TPS1100PWG4的规格信息
TPS1100PWG4的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

汲极/源极击穿电压：15 V

闸/源击穿电压：- 15 V, 2 V

漏极连续电流：1.27 A

导通电阻：180 mOhms

配置：Single Quad Drain Triple Source

最大工作温度：+ 125 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TSSOP-8

封装：Tube

商标：Texas Instruments

下降时间：10 ns

最小工作温度：- 40 C

功率耗散：504 mW

上升时间：10 ns

系列：TPS1100

工厂包装数量：150

典型关闭延迟时间：13 ns

单位重量：39 mg

ROHS： 无铅

供应商TPS1100PWG4
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Newark element14		TPS1100PWG4Texas InstrumentsMOSFET, -15V, TSSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.27A; Drain Source Voltage Vds:-15V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.25V; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes价格未公开
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