制造商产品页：TPS1101DG4 Specifications
标准包装：75
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：11.25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-
功率 - 最大值：791mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC