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TPS1100DRG4 /MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
TPS1100DRG4的规格信息
TPS1100DRG4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:P-Channel

汲极/源极击穿电压:15 V

闸/源击穿电压:- 15 V, 2 V

漏极连续电流:1.6 A

导通电阻:180 mOhms

配置:Single Quad Drain Triple Source

最大工作温度:+ 125 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

封装:Reel

商标:Texas Instruments

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 40 C

功率耗散:791 mW

上升时间:10 ns

系列:TPS1100

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:13 ns

单位重量:76 mg

ROHS: 无铅

供应商TPS1100DRG4
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深圳市坤融电子有限公司TPS1100DRG4航都大厦10I0755-23990975
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TPS1100DRG4Texas InstrumentsMOSFET, -15V, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.6A; Drain Source Voltage Vds:-15V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.25V; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes价格未公开
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