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STW55NM60ND /MOSFET N-channel 600 V FDMesh
STW55NM60ND的规格信息
STW55NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:51 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW55NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:96 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:68 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:188 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:38 g

供应商STW55NM60ND
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深圳市骏凯诚科技有限公司STW55NM60ND深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW55NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STW55NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市河锋鑫科技有限公司STW55NM60ND华强北都会轩26010755-23903154
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