制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:38 A

Rds On-漏源导通电阻:87 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:MDmesh

高度:5.15 mm

长度:20.15 mm

产品:Power MOSFET

系列:STW50N65DM2AG

晶体管类型:1 N-Channel

类型:High Voltage

宽度:15.75 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:10.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:89 ns

典型接通延迟时间:22.5 ns

单位重量:38 g