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STW15NK90Z /MOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
STW15NK90Z的规格信息
STW15NK90Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:15 A

Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:190 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW15NK90Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:135 ns

典型接通延迟时间:42 ns

单位重量:38 g

供应商STW15NK90Z
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深圳市骏凯诚科技有限公司STW15NK90Z深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW15NK90Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市智连鑫科技有限公司STW15NK90Z深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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STW15NK90Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 150uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO313.93 Kbytes共14页STW15NK90Z的PDF下载地址
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STW15NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH1:¥52.093
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STW15NK90ZAtmel1+:¥47.93
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STW15NK90ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 150uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350W(Tc) 类型:N沟道1+:¥15.1
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