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STU9N65M2 /MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU9N65M2的规格信息
STU9N65M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

产品:Power MOSFET

系列:STU9N65M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22.5 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

单位重量:4 g

供应商STU9N65M2
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STU9N65M2STMicroelectronics1+:¥11.64
10+:¥9.89
100+:¥7.85
500+:¥6.91
1000+:¥5.72
3000+:¥5.31
6000+:¥5.13
9000+:¥4.93
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STU9N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A IPAK$1.54000
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Mouser 贸泽电子
STU9N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package1:¥12.2944
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100+:¥6.26
500+:¥6.26
1000+:¥5.8401
3000+:¥5.36
6000+:¥5.31
9000+:¥5.1
24000+:¥4.94