系列：MDmesh™
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：270pF @ 100V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装形式Package：IPAK
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：650V
连续漏极电流ID：5A
Ciss-输入电容：270 pF
Id-连续漏极电流：5 A
典型关闭延迟时间：30 ns
商标名：MDmesh
安装风格：Through Hole
封装/外壳：IPAK-3
晶体管极性：N-Channel
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：60 W
最小工作温度：- 55 C
Qg-栅极电荷：9 nC
Rds On-漏源导通电阻：1.15 0hms
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Vgs-栅源极击穿电压：25 V
上升时间：20 ns
无铅情况/RoHs：否