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STU8N80K5 /MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
STU8N80K5的规格信息
STU8N80K5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:950 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:16.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STU8N80K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:4 g

供应商STU8N80K5
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