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STU7NM60N /MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N的规格信息
STU7NM60N的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STU7NM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:4 g

供应商STU7NM60N
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STU7NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAK$2.11000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
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