其它有关文件:STU75N3LLH6 View All Specifications
标准包装:75
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:DeepGATE?,STripFET? VI
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 37.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2030pF @ 10V
功率 - 最大值:60W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装:I-Pak
其它名称:497-12701-5STU75N3LLH6-ND