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STU6N65K3 /MOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
STU6N65K3的规格信息
STU6N65K3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:5.4 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.75 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STU6N65K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:4 g

供应商STU6N65K3
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Arrow(艾睿)		STU6N65K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品1+:￥22.33
25+:￥18.01
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Mouser 贸泽电子		STU6N65K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品1+:￥22.33
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