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STU5N62K3 /N-Channel 620 V 1.6 Ohm SuperMESH3™ Power Mosfet - TO-251
STU5N62K3的规格信息
STU5N62K3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：SuperMESH3™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 50µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：26nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：680pF @ 50V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：70W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

封装形式Package：IPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：620V

连续漏极电流ID：4.2A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商STU5N62K3
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STU5N62K3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		STU5N62K3STMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH3?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 31+:￥12.44
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