封装/外壳：TO-220

封装/外壳：Tube

下降时间：14 ns

栅极电荷 Qg：11 nC

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：45 W

上升时间：7 ns

典型关闭延迟时间：21 ns

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：525 V

闸/源击穿电压：± 30 V

漏极连续电流：2.5 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 0hms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：Through Hole

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：525V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：334pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V

功率耗散（最大值）：45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.6 欧姆 @ 1.25A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：I-PAK

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs