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STU2N105K5 /MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in IPAK package
STU2N105K5的规格信息
STU2N105K5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.05 kV

Id-连续漏极电流:1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STU2N105K5

商标:STMicroelectronics

下降时间:38.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:14.5 ns

单位重量:4 g

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