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STU3N62K3 /MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
STU3N62K3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

高度:6.2 mm

长度:6.6 mm

系列:STU3N62K3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:2.4 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:15.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:4 g

供应商STU3N62K3
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深圳市骏凯诚科技有限公司STU3N62K3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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STU3N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK$1.25000
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Mouser 贸泽电子
STU3N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A1:¥8.7575
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Mouser 贸泽电子
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