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STU2LN60K3 /MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
STU2LN60K3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.75 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STU2LN60K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23.5 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:4 g

供应商STU2LN60K3
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STU2LN60K3深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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集好芯城STU2LN60K3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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STU2LN60K3N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1071.4 Kbytes共20页STU2LN60K3的PDF下载地址
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STU2LN60K3STMicroelectronicsPOWER MOSFET - Rail/Tube3,000 : $0.4572
14,999 : $0.4367
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STU2LN60K3STMicroelectronicsMOSFET N CH 600V 2A IPAK10 : $0.915
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STU2LN60K3STMicroelectronicsMOSFET N CH 600V 2A IPAK$1.13000
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Mouser 贸泽电子
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10000+:¥2.98
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