图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
功率耗散(最大值):110W(Tc)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs