图像仅供参考,请参阅规格书
系列:STripFET™ F6
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss):40V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
功率耗散(最大值):190W(Tc)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs