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STP18N65M2 /MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP18N65M2的规格信息
STP18N65M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:275 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STP18N65M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:12.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:330 mg

供应商STP18N65M2
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STP18N65M2连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:330mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO525.31 Kbytes共15页STP18N65M2的PDF下载地址
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STP18N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package1:¥15.368
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STP18N65M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:330mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道1+:¥11.62
10+:¥8.71
30+:¥8.18
100+:¥7.65
500+:¥7.41
1000+:¥7.29