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STP180N10F3 /MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
STP180N10F3的规格信息
STP180N10F3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:114.6 nC

Pd-功率耗散:315 W

配置:Single

商标名:STripFET

封装:Tube

系列:STP180N10F3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:6.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:97.1 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:330 mg

供应商STP180N10F3
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10+:¥25.43
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500+:¥21.04
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2000+:¥18.82
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10000+:¥18.181000+:¥12.36991+:¥14.7