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STP18N55M5 /MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
STP18N55M5的规格信息
STP18N55M5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:550 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STP18N55M5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

单位重量:330 mg

供应商STP18N55M5
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司STP18N55M5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STP18N55M5的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STP18N55M5STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh V1+:￥18.64
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
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