系列：FDmesh™ II

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：34nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1030pF @ 50V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：290 毫欧 @ 6.5A，10V

工作温度：150°C（TJ）

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：110W（Tc）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

封装形式Package：TO-220

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：600V

连续漏极电流ID：13A

RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 150 C

130 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

品牌：STMicroelectronics

下降时间：18 ns

最低工作温度：- 55 C

上升时间：15.5 ns

晶体管极性：N-Channel

标准包装数量：50

标准断开延迟时间：13 ns

Vds - 漏-源击穿电压：650 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：25 V

Id - C连续漏极电流：13 A

Rds On - 漏-源电阻：290 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：4 V

34 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs