图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:355 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:19 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:52 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1 mm
长度:6.35 mm
产品:Power MOSFET
系列:STL16N60M2
类型:MDmesh M2
宽度:5.4 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:18.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9.5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:58 ns
典型接通延迟时间:10.5 ns
单位重量:130 mg