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STL140N6F7 /MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL140N6F7的规格信息
STL140N6F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:145 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL140N6F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

供应商STL140N6F7
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STL140N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT$2.36000
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STL140N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
1,000:¥10.9158
3,000:¥10.1474
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STL140N6F7ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):145A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.8W 类型:N沟道1+:¥9.66
10+:¥7.03
30+:¥6.55
100+:¥6.07
500+:¥5.85
1000+:¥5.75