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STL13DP10F6 /MOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island
STL13DP10F6的规格信息
STL13DP10F6的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:3.3 A

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:16.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL13DP10F6

晶体管类型:2 P-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:4.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns

供应商STL13DP10F6
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现代芯城（深圳）科技有限公司STL13DP10F6www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STL13DP10F6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STL13DP10F6航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STL13DP10F6深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
上海三崧电子有限公司STL13DP10F6上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STL13DP10F6深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STL13DP10F6深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司STL13DP10F6华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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Mouser 贸泽电子		STL13DP10F6STMicroelectronicsMOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island1:¥10.9836
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Verical		STL13DP10F6STMicroelectronics1+:￥11.0499
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