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STL13N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
STL13N60DM2的规格信息
STL13N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-HV-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:350 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL13N60DM2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:10.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42.5 ns

典型接通延迟时间:12.3 ns

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