图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:6.5 A
Rds On-漏源导通电阻:365 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:17 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:52 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:STL13N65M2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.8 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:38 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:4.480 g