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STL150N3LLH5 /MOSFET N-channel 30 V PowerFLAT
STL150N3LLH5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x6-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:150 A

Rds On-漏源导通电阻:1.75 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:22 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.81 mm

长度:5 mm

系列:STL150N3LLH5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:47.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65.8 ns

典型接通延迟时间:17.2 ns

供应商STL150N3LLH5
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现代芯城(深圳)科技有限公司STL150N3LLH5www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STL150N3LLH5航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STL150N3LLH5深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
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深圳市斌腾达科技有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市高捷半导体有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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深圳市辰芯伟业科技有限公司STL150N3LLH5华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市博浩通科技有限公司STL150N3LLH5华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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集好芯城STL150N3LLH5深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市宇浩扬科技有限公司STL150N3LLH5深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司STL150N3LLH5广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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STL150N3LLH5MOSFET N-channel 30 V PowerFLATSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO864.54 Kbytes共14页STL150N3LLH5的PDF下载地址
STL150N3LLH5连续漏极电流(Id)(25°C 时):195A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:1.75mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):114W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO884.32 Kbytes共14页STL150N3LLH5的PDF下载地址
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STL150N3LLH5STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 30 V PowerFLAT1+:¥25.31
10+:¥22.67
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STL150N3LLH5STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel 30 V PowerFLAT1+:¥25.31
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Digi-Key 得捷电子
STL150N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 195A POWERFLATObsolete
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Digi-Key 得捷电子
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element14 e络盟电子
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
STL150N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V PowerFLAT1:¥13.9103
10:¥11.752
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500:¥8.2264
3,000:¥6.3845
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RS(欧时)
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Verical
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立创商城
STL150N3LLH5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):195A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:1.75mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):114W(Tc) 类型:N沟道1+:¥16.77
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