系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：180A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：404nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：20500pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.15 毫欧 @ 60A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
封装形式Package：H2PAK
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：40V
连续漏极电流ID：180A
无铅情况/RoHs：否