RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 175 C

300 W：Pd - 功率消耗

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：H2PAK-2

系列：STH270N4F3-2

品牌：STMicroelectronics

通道模式：Enhancement

下降时间：45 ns

最低工作温度：- 55 C

晶体管极性：N-Channel

上升时间：180 ns

标准包装数量：1000

公司名称：STripFET

标准断开延迟时间：110 ns

Vds - 漏-源击穿电压：40 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Id - C连续漏极电流：180 A

Rds On - 漏-源电阻：1.4 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：2 V

110 nC：Qg - 闸极充电

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：150nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7400pF @ 25V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 80A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：H²PAK

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs