其它有关文件：STH250N55F3-6 View All Specifications
标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：STripFET?? III
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：6800pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
供应商器件封装：H²PAK
其它名称：497-11309-2STH250N55F36