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STH315N10F7-6 /MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH315N10F7-6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:180 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:315 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STH315N10F7-6

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:108 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:148 ns

典型接通延迟时间:62 ns

单位重量:1.600 g

供应商STH315N10F7-6
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STH315N10F7-6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品1+:¥41.9
10+:¥33.67
100+:¥29.9001
250+:¥27.64
500+:¥24.811+:¥33.38
10+:¥26.83
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10000+:¥20.461+:¥41.19
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10+:¥33.67
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STH315N10F7-6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品1+:¥41.9
10+:¥33.67
100+:¥29.9001
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10+:¥26.83
100+:¥23.85
250+:¥22.2
500+:¥22.2
1000+:¥21.19
2000+:¥20.38
5000+:¥20
10000+:¥20.461+:¥41.19
10+:¥33.1099
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Mouser 贸泽电子
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10:¥35.5724
100:¥30.8151
250:¥29.1992
1,000:¥22.1254
2,000:查看
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Mouser 贸泽电子
STH315N10F7-6STMicroelectronicsFET - 单 DeepGATE?, STripFET? VII 分立半导体产品1+:¥41.9
10+:¥33.67
100+:¥29.9001
250+:¥27.64
500+:¥24.811+:¥33.38
10+:¥26.83
100+:¥23.85
250+:¥22.2
500+:¥22.2
1000+:¥21.19
2000+:¥20.38
5000+:¥20
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STH315N10F7-6ST(意法半导体)MOS(场效应管)1+:¥28.72
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100+:¥26.92