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STH265N6F6-6AG /MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH265N6F6-6AG的规格信息
STH265N6F6-6AG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:1.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:183 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STH265N6F6-6AG

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:63 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:165 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:144 ns

典型接通延迟时间:31 ns

单位重量:1.600 g

供应商STH265N6F6-6AG
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STH265N6F6-6AGMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 packageSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO544.91 Kbytes共18页STH265N6F6-6AG的PDF下载地址
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