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STH3N150-2 /MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
STH3N150-2的规格信息
STH3N150-2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H2PAK-2

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:9 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:29.3 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:140 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STH3N150-2

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.6 S

下降时间:61 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:47 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:4 g

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STH3N150-2连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:9Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO1.32 Mbytes共23页STH3N150-2的PDF下载地址
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STH3N150-2STMicroelectronicsFET - 单 PowerMESH?? 分立半导体产品1+:¥50.92
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STH3N150-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK$4.69000
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STH3N150-2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:9Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道1+:¥18.01
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