其它有关文件：STH110N10F7-2 View All Specifications
特色产品：STMicro - STP310N10F7 S TripFET F7 Series Power MOSFETs
标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：DeepGATE?，STripFET? VII
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：110A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5117pF @ 50V
功率 - 最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装：H²PAK
其它名称：497-13549-2STH110N10F72