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STGWA40M120DF3 /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGWA40M120DF3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:M-Series IGBTs

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,40A

功率 - 最大值:468W

开关能量:1.03mJ(开),480µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:125nC

25°C 时 Td(开/关)值:35ns/140ns

测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):355ns

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

其它名称:497-15003-5

供应商STGWA40M120DF3
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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STGWA40M120DF3IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low lossSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO1008.19 Kbytes共18页STGWA40M120DF3的PDF下载地址
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STGWA40M120DF3STMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss1:¥82.2188
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Mouser 贸泽电子
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