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STGWA40H120DF2 /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGWA40H120DF2的规格信息
STGWA40H120DF2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:2.5 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:468 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWA40H120DF2

集电极最大连续电流 Ic:80 A

高度:5.15 mm

长度:20.15 mm

工作温度范围:- 55 C to + 175 C

宽度:15.75 mm

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:40 A

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:600

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商STGWA40H120DF2
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